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NP100P04PLG
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
8
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
100000
6
V GS = ? 4.5 V
10000
C iss
C oss
4
2
? 10 V
1000
C rss
0
I D = ? 50 A
Pulsed
100
V GS = 0 V
f = 1 MHz
-75
-25
25
75
125
175
225
-0.1
-1
-10
-100
T ch - Channel Temperature - ° C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
10000
-40
-12
1000
t d(off)
-30
V DD = ? 32 V
? 20 V
? 8 V
-9
100
t d(on)
t f
-20
-6
t r
V GS
10
V DD = ? 20 V
-10
-3
1
V GS = ? 10 V
R G = 0 Ω
0
V DS
I D = ? 100 A
0
-0.1
-1
-10
-100
-1000
0
50
100
150
200
250
300
350
-1000
-100
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
1000
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
-10
V GS = ? 10 V
0V
100
-1
10
-0.1
-0.01
Pulsed
1
di/dt = ? 100 A/ μ s
V GS = 0 V
0
0.5
1
1.5
-0.1
-1
-10
-100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D18694EJ3V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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